Simens/EUPEC IGBT 各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！

BSM100GB120DN2K

BSM--------------帶反并聯續流二極管(F.W.D)的IGBT模塊

BYM--------------二極管模塊

   100-----------Tc=80°C時的額定電流

      GA-------- 一單元模塊

      GB----------兩單元模塊(半橋模塊)

      GD----------六單元模塊

      GT----------三單元模塊

      GP----------七單元模塊(功率集成模塊)

      GAL----------斬波模塊(斬波二極管靠近集電極)

      GAR----------斬波模塊(斬波二極管靠近發射極)

        120-------額定電壓×10

           DL------低飽和壓降

           DN2----高頻型

           DLC----帶(EmCon)二極管的低飽和壓降

   BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統。西門子IGBT模塊歸入EUPEC后，EUPEC標準系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統。但EUPEC原側重生產大功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統,EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司后，所有IGBT模塊均按EUPEC  IGBT命名系統來命名.

FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊

FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)

FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)

FD/DF------------斬波模塊

F4---------------四單元模塊

FS---------------六單元模塊

DD---------------二極管模塊

  400-------------Tc=80°C時的額定電流

     R------------逆導型

     S-------------快速二極管

      12-----------額定電壓×100

        KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)

        KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)

        KS--------短拖尾高頻型

        KE--------低飽和壓降

        KT--------低飽和壓降高頻型