東芝推出注148層3D堆疊式結構閃存注2，該閃存容量達到256Gb(32GB)，同時采用了行業的三階存儲單元(TLC)技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業級SSD。據悉，樣品將于9月開始發貨。
　　
　　東芝BiCSFLASHTM采用目前世界zui的48層堆疊工藝，超越主流2DNAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數及可靠性，并提高了寫入速度。
　　
　　自2007年在推出了3D堆疊式結構閃存以來注3，東芝一直致力于優化大批量生產的研發。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，推出SSD等產品組合。
　　
　　東芝于1987年在世界上zui早開發出NAND閃存，作為閃存世界的*，一直秉承專業的精神，為消費者提供高速、的專業閃存體驗。目前，這一產品在東芝四日市工廠開始生產，預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產該產品。