CISSOID推出高溫電源模塊CHT-PLUTO,它可在-55~225℃的范圍內實現可靠的運行,并輸出高達60A的電流。CHT-PLUTO是一種雙碳化硅MOSFET模塊,主要應用于在低端和均可持續供應30A電流的半橋。低端和的兩個獨立開關可并聯使用,輸出總電流為60A,擊穿電壓超過1200V,當VGS=20V時,導通電阻在25℃和225℃的溫度下分別低至23m?和50m?。
由于碳化硅晶體管的開關損耗較低,故而可實現較高的工作頻率。CHT-PLUTO還可嵌入正向電壓Vf較低的續流肖特基二極管,它可以在死區時間降低功耗。每個開關均可采用-5/+20V的標準柵電壓進行控制。
CHT-PLUTO采用密封的8引腳“H8MA”金屬封裝,其尺寸規格為18mmx29mm(不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點是每個30A通道的結面至外殼熱阻都低至0.7℃/W。另外,兩個附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅動器。
CHT-PLUTO適合為功率轉換器、逆變器或電機驅動器等應用構建半橋。當將兩個開關并聯時,CHT-PLUTO的輸出電流可達60A,同時熱阻(Rth)低至0.35℃/W。還可將幾個模塊并聯,以獲得更高的輸出電流。
CISSOID公司zui近已發布的高溫柵極驅動器HADES®v2是驅動CHT-PLUTO的理想器件。HADES®v2的峰值電流和dV/dT耐用性均較高,因此可實現快速切換,降低模塊功耗。借助這些優化功能,電源設計人員可以提高工作頻率,為無源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值,從而在這些高成本的元件上節約大量成本,并減小系統的體積和重量。CHT-PLUTO與HADES®v2的結合打開了使用結構緊湊的、高度集成的功率轉換器/電機驅動器的大門,這些功率轉換器/電機驅動器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等,在高達225℃的溫度下也可實現可靠運行。
CISSOID公司的技術官PierreDelatte表示:“CHT-PLUTO是我們為高溫/高壓電源開關推出的第二款產品。繼2013年推出10A/1200V單極開關CHT-NEPTUNE之后,CHT-PLUTO又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持環境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經過大量的研發努力,現在,我們可以自豪地推出這款能夠戰勝高溫挑戰,實現可靠運行的CHT-PLUTO產品。CHT-PLUTO真正滿足了系統設計師對CISSOID產品的期望:讓CISSOID做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下,為高溫大功率應用帶來了新的可能。”
由于碳化硅晶體管的開關損耗較低,故而可實現較高的工作頻率。CHT-PLUTO還可嵌入正向電壓Vf較低的續流肖特基二極管,它可以在死區時間降低功耗。每個開關均可采用-5/+20V的標準柵電壓進行控制。
CHT-PLUTO采用密封的8引腳“H8MA”金屬封裝,其尺寸規格為18mmx29mm(不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點是每個30A通道的結面至外殼熱阻都低至0.7℃/W。另外,兩個附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅動器。
CHT-PLUTO適合為功率轉換器、逆變器或電機驅動器等應用構建半橋。當將兩個開關并聯時,CHT-PLUTO的輸出電流可達60A,同時熱阻(Rth)低至0.35℃/W。還可將幾個模塊并聯,以獲得更高的輸出電流。
CISSOID公司zui近已發布的高溫柵極驅動器HADES®v2是驅動CHT-PLUTO的理想器件。HADES®v2的峰值電流和dV/dT耐用性均較高,因此可實現快速切換,降低模塊功耗。借助這些優化功能,電源設計人員可以提高工作頻率,為無源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值,從而在這些高成本的元件上節約大量成本,并減小系統的體積和重量。CHT-PLUTO與HADES®v2的結合打開了使用結構緊湊的、高度集成的功率轉換器/電機驅動器的大門,這些功率轉換器/電機驅動器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等,在高達225℃的溫度下也可實現可靠運行。
CISSOID公司的技術官PierreDelatte表示:“CHT-PLUTO是我們為高溫/高壓電源開關推出的第二款產品。繼2013年推出10A/1200V單極開關CHT-NEPTUNE之后,CHT-PLUTO又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持環境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經過大量的研發努力,現在,我們可以自豪地推出這款能夠戰勝高溫挑戰,實現可靠運行的CHT-PLUTO產品。CHT-PLUTO真正滿足了系統設計師對CISSOID產品的期望:讓CISSOID做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下,為高溫大功率應用帶來了新的可能。”
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