上海坦潑秋爾電器科技為您提供Heraeus賀利氏的PT100/PT1000薄膜鉑電阻。

德國賀利氏（Heraeus）*
·–70℃-500℃
·100 或 1000 歐，DIN 鉑電阻
·A 級、B 級
·低價大包裝
   M 系列是大規模使用的薄膜鉑電阻元器件。這些元器件具有特別 小的尺寸，長期穩定性很好，寬溫度范圍內精度很高。用于汽車工業、白色家電，HVAC，食品加工業、醫療行業。
               
標稱電阻 R0:100 歐@0℃ 
執行標準:DIN EN60751 A 級
         DIN EN60751 B 級
技術指標：
溫度系數：TCR=3850ppm/K
溫度范圍：B 級：-70℃-500℃
 Heraeus     A 級：-50℃-300℃
電線：鍍鉑鎳線
規范：DIN EN 60751（符合 IEC751）
尺寸：2.3mm×2.1mm×0.9mm（長×寬×高）
      線長 10mm
長期穩定性：R0 漂移小于等于 0.04％（500℃，1000 小時后）
抗振動等級：至少 40g 加速度（10-2000Hz）
絕緣電阻：＞100MΩ，20℃時
          ＞2MΩ，500℃時
抗沖擊等級：至少 100g 加速度（波動 8.5mS 后）
薄膜鉑電阻自熱系數：0.4K／mW  （0℃時）
響應時間：水@0.4m/s    t0.5=0.05S      t0.9=0.15S
          空氣@2m/s    t0.5=3.0S      t0.9=10.0S
環境條件： 未保護時只能用于干燥環境
包裝：大包裝 1000 件
測量電流：PT100     0.3-zui大 1.0mA
          PT1000    0.1bis0.3mA

HeraeusPT100A薄膜鉑電阻是由Heraeus公司出廠.根據不同使用范圍,傳感器分為四組主要類型,用于超低溫測量（始于 -196 °C）,低溫測量（到 +400 °C）,中溫測量（到 +600 °C）及高溫測量（到 +1000°C）。為100, 200, 500, 1000 和 10000 Ohm的電阻值可供使用。

原材料的化學穩定性,經檢測的純凈度和均勻度為獲得長期穩定性和在數千次測量循環中的重復測量性提供重要基礎。
Heraeus公司的特殊釉幾乎使產品不受濕度,氣候或其他環境的影響。在布線溫度傳感器元件這組產品中包括了特別微小的傳感器類型,它用于內部直徑很小的保護管中。
這一類產品中還包括帶連接線的傳感器,通過 HD 和 HA薄膜技術系列的當前類型可替換常規的繞線鉑金溫度探針。Heraeus公司憑借其廣泛的知識基礎可在任何時候根據客戶需求特別開發用戶定制薄膜鉑電阻
 
一般技術信息
下面給出了Heraeus電阻一些參數的詳細說明，他們在鉑金薄膜傳感器運行過程中對其產生影響:
測量電流和自熱
電源電流會加熱鉑金薄膜傳感器。所導致的溫度測量誤差按照下式計算：
Δt = P*S
P，功率損失= I2R
S，自加熱系數單位是K/mW。
數據表上了各個產品的自熱系數。自熱由鉑金薄膜鉑電阻和周圍介質的熱接觸決定。如果對環境的熱傳導效率很高，則會得到較高的實測電流。鉑金薄膜傳感器未設置實測電流的下限。它們很大程度上取決于應用。
我們建議:
在100 Ohm: zui大值為 1 mA
在500 Ohm: zui大值為 0.7 mA
在1000 Ohm: zui大值為 0.3 mA
在2000 Ohm: zui大值為 0.25 mA
在10000 Ohm: zui大值為 0.1 mA
Heraeus鉑電阻熱反應時間
熱反應時間是鉑金薄膜傳感器在與電阻變化起反應時而發生溫度變化所需的時間，薄膜鉑電阻變化符合一定比例的溫度變化。DIN EN 60751 建議采用的時間能達到50 %和 90 %的變化。t0.5和 t0.9是指數據表中0.4 或 2.0 m/s的水流和空氣流。 如要換算到其他介質和溫度，可在VDI/VDE 3522手冊的幫助下實施。
根據DIN EN 60751得出100Ω鉑金溫度傳感器的基本值
°C Ω Ω/°C   °C Ω Ω/°C   °C Ω Ω/°C   °C Ω Ω/°C
-200 18,52 0,432   70 127,08 0,383   340 226,21 0,352   610 316,92 0,320
-190 22,83 0,429   80 130,90 0,382   350 229,72 0,350   620 320,12 0,319
-180 27,10 0,425   90 134,71 0,380   360 233,21 0,349   630 323,30 0,318
-170 31,34 0,422   100 138,51 0,379   370 236,70 0,348   640 326,48 0,317
-160 35,34 0,419   110 142,29 0,378   380 240,18 0,347   650 329,64 0,316
-150 39,72 0,417   120 146,07 0,377   390 243,64 0,346   660 332,79 0,315
-140 43,88 0,414   130 149,83 0,376   400 247,09 0,345   670 335,93 0,313
-130 48,00 0,412   140 153,58 0,375   410 250,53 0,343   680 339,06 0,312
-120 52,11 0,409   150 157,33 0,374   420 253,96 0,342   690 342,18 0,311
-110 56,19 0,407   160 161,05 0,372   430 257,38 0,341   700 345,28 0,310
-100 60,26 0,405   170 164,77 0,371   440 260,78 0,340   710 348,38 0,309
-90 64,30 0,403   180 168,48 0,370   450 264,18 0,339   720 351,46 0,308
-80 68,33 0,402   190 172,17 0,369   460 267,56 0,338   730 354,53 0,307
-70 72,33 0,400   200 175,86 0,368   470 270,93 0,337   740 357,59 0,305
-60 76,33 0,399   210 179,53 0,367   480 274,29 0,335   750 360,64 0,304
-50 80,31 0,397   220 183,19 0,365   490 277,64 0,334   760 363,67 0,303
-40 84,27 0,396   230 186,84 0,364   500 280,98 0,333   770 366,70 0,302
-30 88,22 0,394   240 190,47 0,363   510 284,30 0,332   780 369,71 0,301
-20 92,16 0,393   250 194,10 0,362   520 287,62 0,331   790 372,71 0,300
-10 96,09 0,392   260 197,71 0,361   530 290,92 0,330   800 375,70 0,298
0 100,00 0,391   270 201,31 0,360   540 294,21 0,328   810 378,68 0,297
10 103,90 0,390   280 204,90 0,358   550 297,49 0,327   820 381,65 0,296
20 107,79 0,389   290 208,48 0,357   560 300,75 0,326   830 384,60 0,295
30 111,67 0,387   300 212,05 0,356   570 304,01 0,325   840 387,55 0,294
40 115,54 0,386   310 215,61 0,355   580 307,25 0,324   850 390,48 0,293
50 119,40 0,385   320 219,15 0,354   590 310,49 0,323        
60 123,24 0,384   330 222,68 0,353   600 313,71 0,322        

Heraeus鉑電阻熱電效應
鉑金薄膜傳感器不生產熱電力。
震動和沖擊
鉑金薄膜傳感器是固體部件，抗振動和抗沖擊性強。制約因素一般是安裝方式。鉑金薄膜傳感器是否安裝合格,檢驗范圍是:
抗振動性:在10 Hz到 2 kHz的范圍內為40 g加速度
抗沖擊性:100 g, 8 ms 半正弦波
基本傳感器的一般電子參數
電感: < 1µH
電容: 1 到 6 pF
絕緣: >在20°C時, >10 MOhm
在500°C時, >1 MOhm
抗高壓性: 20°C時,>1000 V
500°C時,> 25 V
機械負載能力
薄膜鉑電阻對機械負載敏感,在條件下，能導致破裂,玻璃蓋或陶瓷基板破碎。處理不當或不合適的安裝程序可能導致測量信號的*性變化。
按照MIL 833 和 IEC 40046標準,在制造過程中,連接導線要承受拉力和斷裂測試。在導線為鎳/鉑包裹時,當ial > 8 N（無玻璃陶瓷密封連接埠）時,則該產品通過檢驗。
重復性
Heraeus公司的鉑金薄膜傳感器因其信號的重復準確性高而品質出眾。
分類精度公差
根據DIN EN 60751標準，Heraeus公司在B級精度公差,此外還在*和1/3 DIN（見下表）范圍內供應鉑金薄膜傳感器。用 Δt = ±1/a （0,3°C + 0,005 Itl） 當 a = 1, 2 或 3時計算比例限制公差
100Ω 鉑金傳感器的極限偏差
溫度°C 極限偏差
  * B級
  °C Ohm °C Ohm
-200 ±0,55 ±0,24 ±1,3 ±0,56
-100 ±0,35 ±0,14 ±0,8 ±0,32
0 ±0,15 ±0,06 ±0,3 ±0,12
100 ±0,35 ±0,13 ±0,8 ±0,30
200 ±0,55 ±0,20 ±1,3 ±0,48
300 ±0,75 ±0,27 ±1,8 ±0,64
400 ±0,95 ±0,33 ±2,3 ±0,79
500 ±1,15 ±0,38 ±2,8 ±0,93
600 ±1,35 ±0,43 ±3,3 ±1,06
650 ±1,45 ±0,46 ±3,6 ±1,13
700     ±3,8 ±1,17
800     ±4,3 ±1,28
850     ±4,6 ±1,34

在0°C 到 100°C的范圍內,也可在zui大值為Δt = 0,1 K的公差組中選擇鉑金薄膜鉑電阻。如果此類公差的傳感器價格過高,也可使用其他公差度。

鉑金溫度傳感器的公差基礎值在DIN EN 60751 中已明確給出。下列適用于:
B級:Δt=±（0.3°C + 0.005 Itl）
*:Δt=±（0.15°C + 0.002 Itl）
根據我們自己的定義:
等級為 1/3 DIN:Δt=±1/3 （0.3°C + 0.005 Itl）,
2B級:Δt=±2（0.3°C + 0.005 Itl）

Heraeus長期穩定性
由于長期運作或溫度沖擊,溫度傳感器的老化作用能夠對傳感器信號的準確性和可重復性起到負面影響。因此傳感器的長期穩定性具有重要意義。
基于鉑金的化學穩定性和相對均勻性,鉑薄膜傳感器被視為具有穩定性能的傳感器。
標準測試條件包括250小時，500小時和1000個小時,然而，沖擊試驗和長期穩定性試驗可以根據客戶需求自行實施。
氣候和濕度
雙玻璃層和玻璃陶瓷固定滴保護傳感器元件不受環境影響。根據IEC 71的測量說明,氣候和濕度的變化不影響傳感器元件的測量精度。
電路設計
鉑金薄膜鉑電阻通常在持續電流中被使用,以2-導線電路為標準。考慮到節約能源（蓄電池或電池操作）也可用開關電流操作。輸出電壓信號是Rt電阻的一個函數。
由于鉑薄膜傳感器特性曲線為簡單的二次函數和有容易接近直線的可能性,從而使測量信號線性化不成問題。
連接
標準-2-導線電路可影響測量的準確性。建議使用3-或4-導線電路:
用較長電纜和低傳感器阻值如Pt100,電纜的電阻和溫度電阻達到較大值
用于帶更小公差的鉑金薄膜傳感器
當出現重要的電磁故障,可使用雙絞線或屏蔽電纜
存放
鉑薄膜傳感器不能暴露于有侵蝕性和腐蝕性介質中和大氣中。針對個別類型須遵循特別存放須知進行存放。
清潔
鉑金薄膜傳感器在封裝之前就進行了清潔處理，通常無須進行再清潔。在安裝之后應對其進行清潔處理，可使用zui常用的業內處理操作過程，包括浸泡在液體中。我們推薦使用無殘渣清潔劑。
操作要素
鉑薄膜傳感器是精密部件,因此在安裝過程中要小心謹慎,禁止使用金屬鉗，夾子及其他粗糙夾持裝置。在安裝基本傳感器時建議使用塑料鑷子。禁止彎曲鉑薄膜傳感器機身附近的輸入導線。避免經常更新輸入導線的位置。
Heraeus連接技術
通過焊接工藝（電阻焊接,激光焊接等）或焊料焊接工藝（軟焊,硬焊）達到高水平焊接目的。在實施硬焊時要注意,鉑薄膜傳感器不能被高于其zui大額定溫度的高溫加熱。
總之實施硬焊的時間不能超過三秒鐘。還可使用壓焊和超聲波焊接。
在實施壓焊時,要避免在接觸部位產生任何電阻。
在實施超聲波焊接時,輸入導線彎曲程度要高于鉑金薄膜鉑電阻，從而防止內部損壞。
對于SMD 和SOT223系列，我們推薦使用波峰焊和回流焊工藝進行進一步自動處理。
粘附和嵌入
在對鉑薄膜傳感器實施粘附,嵌入或涂層時,重要的一點是,不同使用材料的熱膨脹系數要相互協調,以避免產生對傳感器信號會有影響的機械應力。嵌入材料得是化學中性材料。連接了的鉑薄膜傳感器的位置決不能通過移動其傳感器加以校正。Heraeus公司的MR傳感器系列已經被嵌入到陶瓷膠囊中。