2015 04-14

IGBT模塊的散熱技術發展

IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環節影響散熱程度影響因數解決辦法1總發...

2014 11-25

可控硅的原理和應用中需要進行注意的事項

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一...

2014 07-10

IGBT模塊散熱器的發展與應用

摘要：電力電子器件的發展經歷了晶閘管(SCR)、可關斷晶閘管(GTO)、晶體管(BJT)、絕緣柵晶體管(IGBT)等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅動、低損耗、模塊化、復合化方向發展，與其他電力電...

2012 08-23

igbt保管時的注意事項

igbt保管時的注意事項：一般保存igbt模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體...

2012 08-23

FF200R12KS4特點

FF200R12KS4特點：產品種類:IGBT模塊（三極管）配置:Dual集電極—射極擊穿電壓:1200V集電極—射極飽和電壓:3.2V集電極zui大連續電流Ic:200A柵極—射極漏泄電流:400n...

2012 06-28

FF200R12KS4的技術參數

FF200R12KS4的技術參數產品種類:IGBT模塊集電極—射極擊穿電壓:1200V集電極—射極飽和電壓:3.2V集電極zui大連續電流Ic:200A柵極—射極漏泄電流:400nA功率耗散:1.4K...

2012 06-28

IGBT工作原來的等效電路

IGBT工作原理的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射...

2012 05-16

IGBT高頻感應加熱設備正確使用方法

正確使用IGBT高頻感應加熱設備的操作方法，可以避免人為操作失誤，給自己的生產帶來不必要的麻煩。首先，一定要嚴格按順序開機。一、IGBT高頻感應加熱設備開機順序：1、根據工件大小，選擇并安裝合適的感應...

2012 05-16

高壓IGBT模塊的特性和應用

新一代3300V1200A的IGBT模塊，仍保持IGBT模塊的典型特性，即損耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其飽和壓降與1600V的產品差不多，通過降低50%左右的短路電流而實現其可與1200V/16...

2012 03-12

IGBT節能趨勢

在過去20多年中，圍繞IGBT器件產生了非常多的，歐洲、美國和日本的公司已經在這個領域形成了巨大的技術優勢在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是zui為重要的器件，與歐洲...

2009 12-30

IGBT的并聯問題

用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯。并聯時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。為使并聯時電流...

2009 12-04

IGBT往散熱器上安裝固定時的注意事項

由于熱阻隨IGBT安裝位置的不同而不同，因此，若在散熱器上僅安裝一個IGBT時，應將其安裝在正中間，以便使得熱阻zui小；當要安裝幾個IGBT時，應根據每個IGBT的發熱情況留出相應的空間；使用帶紋路...

2009 12-02

為IGBT設計保護時需要注意的問題

在進行電路設計時，應針對影響IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相應的保護措施。1.IGBT柵極的保護2.集電極與發射極間的過壓保護過電壓的產生主要有兩種情況，一種是施加到IGBT集電極－發射極間的直...

2009 12-01

影響IGBT安全可靠與否的主要因素

若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶...

2009 05-09

IGBT模塊工作原理以及檢測方法

1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，...

2009 05-09

IGBT智能驅動模塊（續）

３ＳＣＡＬＥ的主要工作模式３．１直接模式在直接模式下，各路ＩＧＢＴ將獨立地工作。該模式可用于已產生死區時間的ＰＷＭ信號的驅動，也可用于獨立工作的各路ＩＧＢＴ。將ＭＯＤ輸入與Ｖ相連，ＲＣ１和ＲＣ２接地，...

2009 05-09

一種適用于大功率IGBT模塊串聯工作的新型驅動電路

1引言隨著電力電子技術的飛速發展,特別是IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（Metallicoxidesemiconductorf...

2009 05-09

IGBT智能驅動模塊

SCALE驅動是瑞士Concept公司生產的IGBT智能化驅動板，可用于驅動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應用電路。１概述:由于ＩＧＢ...

2009 05-09

IGBT 模塊 應用指南-基本知識

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優點集于一身...

2009 05-09

MOS管和IGBT模塊的測試方法

MOS管（MOSFET）的測試方法:場效應管,如果已知型號與管腳,用萬用電表測G（柵極）和S（源極）之間,G與D（漏極）之間沒有PN結電阻,說明該管子已壞.用萬用電表的R×1kΩ檔,其表棒分別接在場效...