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ZY-IFSM-40K IGCT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)	￥ 30000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/4/25 11:10:07
訪問次數(shù)73

產(chǎn)品標(biāo)簽:

ZY-IFSM-40K IGCT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)ZY-IFSM-40K IGCT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

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公司介紹主營產(chǎn)品

西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競爭優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

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參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競爭優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)單元和多單元的模塊，系統(tǒng)安全穩(wěn)定，整體采用輪式機(jī)柜集成測(cè)試，具有簡潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

ZY-IFSM-40K IGCT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

系統(tǒng)概述

針對(duì)IGCT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。

系統(tǒng)單元及參數(shù)條件

通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM

平板器件通態(tài)電流：0.10～10.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%

模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%

電流上升沿時(shí)間：≥5ms

通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%

測(cè)試頻率：單次

斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電VD/ID

反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元

阻斷電壓：0.20～8.50kV, 分辨率：0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

正反向自動(dòng)測(cè)試