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近紅外鍍銅單模光纖 1300-1600nm 衰減9.5dB/km

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱筱曉(上海)光子技術有限公司
  • 品       牌
  • 型       號Cu1300
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2024/6/8 11:55:21
  • 訪問次數99
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公司簡介筱曉(上海)光子技術有限公司是一家業的光學服務公司,業務涵蓋設備代理以及項目合作研發,公司位于上海CBD商圈繁華地段,擁有600多m2的辦公區域,建有的AOL(Advanced Optical Labs)光學實驗室,為國內外客戶提供業技術支持服務。公司主要經營光學元件、激光光學測試設備、以及光學系統集成業務。總部坐落于魔都上海,并在北京、香港、溫哥華設立分公司。依托業、強大的技術支持,以及良好的商務支持團隊,筱曉的業務范圍正在逐年增長。目業務覆蓋國內外各高校、頂科研機構及相關域等諸多企事業單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及業的研發實驗室,奠定了我們在設備的拓展應用及自主研發域堅實的基礎。公司自成立以來,始終遵循行業先、誠信發展、探索創新、務實致遠、以質取勝的服務理念,并在產品開發和銷售中貫徹到底。公司自始至終秉承著標準的質量安全保障。。我們將不斷完善管理機制和技術水平,為客戶提供更安全環保的產品以及更優質的服務。主要經營激光器/光源半導體激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子聯激光器、FP激光器、VCSEL激光器)氣體激光器(HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器)光纖激光器(連續激光器、超短脈沖激光器)光學元件光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學晶體、光纖隔離器/環形器、脈沖驅動板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準直器、光接收組件、激光控制驅動器等各種無源器件激光分析設備高精度光譜分析儀、自相關儀、偏振分析儀,激光波長計、紅外相機、光束質量分析儀、紅外觀察鏡等光纖處理設備光纖拉錐機、裸光纖研磨機光學實驗室近紅外實驗項目組:半導體激光器光譜分析,功率測試,光束質量測試,線寬測試,各種光無源器件的測試,光纖放大器等等近紅外產品的測試。目我們在半導體測試,TDLAS激光法氣體分析檢測,DTS高溫傳感等項目研究開發域有著深厚的積累,能夠為客戶提供更加精準的器件方案支持。中紅外實驗項目組:負責公司中紅外波段的相關產品。其中包括:中紅外激光半導體器件測試,中紅外QCL激光器的性能研發改進,中紅外技術學習與推廣應用,目我們已成熟具備QCL激光器對TDLAS氣體測量技術,并提供整套系統器件,還具有的光譜儀AQ6377、波長計等測量設備,可以為客戶提供實驗服務,解答各類中紅外產品售后問題。超快太赫茲微納實驗項目:承擔超快、太赫茲及微納交叉應用,整合相關技術到安全測試、生物傳感等新型應用域。太赫茲設備正在積籌備中,依托超快激光器研發能力,擁有健全的核心元器件供應鏈;具備微納光纖生產制備測試能力其產品可廣泛用于生物、溫度、壓力、氣體傳感等域。
干涉儀
筱曉光子近紅外鍍銅單模光纖(耐高溫Cu1300)總覽應用于近紅外波長范圍的銅鋁涂層單模光纖通常有庫存
近紅外鍍銅單模光纖 1300-1600nm 衰減9.5dB/km 產品信息
 

筱曉光子 近紅外鍍銅單模光纖 (耐高溫 Cu1300)




總覽

應用于近紅外波長范圍的銅鋁涂層單模光纖通常有庫存。長度20m以上的訂單,可在下單當天發貨。定制單模配置(包括純硅芯或自定義波長)可能需要1公里的低訂貨量和6周的交貨期。

 
截止波長
1250nm 
 
數值孔徑
0.13 
 
技術參數

產品特點

● 耐高溫

● 耐久性、高抗彎曲強度和密封性

● 實現了嵌入光纖、光纖束及尾纖進入高真空環境焊接的可能性


 

產品應用

● 高溫環境

● 苛刻的化學環境

● 核輻射環境

● 高功率激光傳輸

● 醫療應用

● 光纖束焊接


 

Cu450

Cu600

Cu800

Cu800/200

Cu1300

Cu1300/200

AL1300

選項

可用

庫存

庫存

庫存

庫存

庫存

庫存

庫存

定制

預涂覆層

銅合金

銅合金

銅合金

銅合金

銅合金

銅合金

鋁、銅

附加內存

附加外層

-

-

-

-

-

-

-

聚酰亞胺;丙烯酸

波長范圍

450–600nm

600–800nm

800–1000nm

800–1000nm

1300-1600nm

1300-1600nm

1300-1600nm

400-2000nm

截止波長

<420nm

<560nm

<770nm

<770 nm

<1250 nm

<1250 nm

<1250 nm

-

衰減@800 /1300nm

14dB/km

12dB/km

10.5dB/km

4.0dB/km

9.5dB/km

1.5dB/km

9.5dB/km

-

數值孔徑

0.13

0.13

0.13

0.13

0.13

0.13

0.13

0.13-0.26

預制體

摻Ge

摻Ge

摻Ge

摻Ge

摻Ge

摻Ge

摻Ge

純硅芯;高NA

模場直徑

4±0.5μm

5±0.5μm

6±0.5μm

6±0.5μm

9±0.5μm

9±0.5μm

9±0.5μm

-

包層直徑(um)

125±1

125±1

125±1

200±1

125±1

200±1

125±1

125;   200

涂覆層直徑(um)

165±10

165±10

165±10

260±10

165±10

260±10

165±10

厚度20 ~ 50

芯包層同心度

<0.5μm

<0.5μm

<0.5μm

<0.5μm

<0.5μm

<0.5μm

<0.5μm

-

包層偏移

<5μm

<5μm

<5μm

<5μm

<5μm

<5μm

<5μm

-

短期彎曲半徑

>   10mm

>10mm

>10mm

>15mm

>10mm

>   15mm

>10mm

-

長期彎曲半徑

>25mm

>25mm

>25mm

>40 mm

>25 mm

>40mm

>25mm

-

證明測試

100kpsi

100kpsi

100kpsi

100kpsi

100kpsi

100kpsi

100kpsi

-

連續長度

3000m

3000m

3000m

2000m

3000m

2000m

3000m

-

短期溫度(<60s)

<600℃

<600℃

<600℃

<600℃

<600℃

<600℃

<400℃

-

長期溫度(>60s)

<450℃

<450℃

<450℃

<450℃

<450℃

<450℃

<400℃

-

 
 
 

更新時間:2023/5/24 17:35:26

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