儀器特點：

1. 自動或手動模式(電流控制磁場模式)

2. 自動接觸檢查(歐姆接觸)

3. 常規和增強軟件

4. I/V曲線測試電阻率差異

5. 失調電壓補償

6. 修正慢樣品漂移電壓，特別是氧化鋅

7. 大濃度和電阻率范圍

8. 靈活的模塊化硬件

技術參數：

1 磁場： 磁場強度： 0.5T 永磁體 磁場類型： 永磁體 磁場均勻性： 磁場不均勻性＜±1 % 10年內磁場變化＜±0.2%

2 溫 度： 溫度區域： 77K(液氮溫度)或室溫

3 電阻率范圍： 1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

4 電阻范圍： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms

5 載流子濃度： 107~1021cm-3

6 遷移率： 10-2~107 cm2/volt*sec

7 輸入電流： 電流范圍： 1000 pA~10mA 電流解析度： 2.5 pA (lowest range) 電流精度： 2%

8 輸入電壓： 電壓范圍： ±10V 電壓分辨率： 1μV > 可做IV,IIIV,ⅡⅢ等材料測試 > 設計小巧，性價比* > 支持室溫&77K測試 > 使用樣品夾固定待測樣品 >

可選配永磁鐵或電磁作為磁場 1. 設備名稱： 霍爾效應測試儀 2. 功能描述： 測量半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數

3. 霍爾效應測試儀技術參數：

3-1 測試范圍： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質的半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數

3-2 磁場：

3-2-1 磁場強度： 0.45T 永磁體

3-2-2 磁場類型： 永磁體

3-2-3 磁場均勻性： 磁場不均勻性＜±1 % 10年內磁場變化＜±0.2% 3-3 溫 度：

3-3-1 溫度區域： 77K(液氮溫度)或室溫

3-4 電阻率范圍： 1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5 電阻范圍： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6 載流子濃度： 107~1021cm-3 3-7 遷移率： 10-2~107 cm2/volt*sec

3-8 輸入電流：

3-8-1 電流范圍： 1000 pA~10mA

3-8-2 電流解析度： 2.5 pA (lowest range)

3-8-3 電流精度： 2%

3-9 輸入電壓：

3-9-1 電壓范圍： ±10V 3-9-2 電壓分辨率： 1μV