伯東企業(yè)（上海）有限公司
免費(fèi)會(huì)員
-
上海伯東提供適用于薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的離子源和真空系統(tǒng)
沒(méi)有真空,就不可能有可再生能源.例如光伏發(fā)電PV,這是一種廣為人知的發(fā)電方法,即利用太陽(yáng)能電池,通過(guò)光伏效應(yīng),將來(lái)自太陽(yáng)的能量轉(zhuǎn)換為電子流,從而產(chǎn)生電能.太陽(yáng)能電池技術(shù)有多種類型,主要技術(shù)之一是基于薄膜沉積.該技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的材料消耗低.除諸如碲化鎘CdTe之類材料外,銅銦鎵硒化物CIGS也經(jīng)常用于吸收層.這些層可以沉積在玻璃等非柔性基板上,或者金屬帶材或箔片等柔性基板上,又或柔性薄玻璃上,然后須將基板裝入一個(gè)大型真空室內(nèi).在該真空腔室內(nèi)會(huì)進(jìn)行多種PVD工藝,例如濺射或蒸發(fā),以 -
Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過(guò)程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
刻蝕是半導(dǎo)體制造中的工藝之一,上海伯東日本AtonarpAston質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過(guò)程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè)(干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)),通過(guò)持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體,確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和吞吐量.Aston質(zhì)譜儀干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)整體解決方案連續(xù)蝕刻工藝金屬,如鋁Al,鎢W,銅Cu,鈦Ti和氮化鈦TiN會(huì)形成非揮發(fā)性金屬鹵化物副產(chǎn)物,例如六氯化鎢WCl6重新沉積在蝕刻的側(cè)壁上,因顆粒污染或沉積材料導(dǎo)致電氣短路,從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低.上海伯東Aston質(zhì)譜儀提供包括腔室和過(guò)程,例如指紋識(shí)別,腔室清潔,過(guò)程監(jiān) -
Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化
上海伯東日本AtonarpAstonImpact高靈敏度質(zhì)譜分析儀,基于四級(jí)桿的質(zhì)量分離,Aston質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊,適用于氣體分析和過(guò)程氣體監(jiān)測(cè),滿足半導(dǎo)體工藝過(guò)程中,沉積,刻蝕,光刻等氣體分析.Aston質(zhì)譜分析儀CVD清洗終點(diǎn)優(yōu)化選擇clean的反應(yīng)物或者生成物,使用Aston相對(duì)定量分析其中的氣體成分,可以動(dòng)態(tài)判斷CVD清潔過(guò)程的刻蝕終點(diǎn)的時(shí)間.不論是氣體的節(jié)省和工藝時(shí)間的節(jié)省都可以盡可能增大產(chǎn)能.Aston質(zhì)譜分析儀與腔室連接AstonImpact高靈敏度質(zhì)譜分析儀基本參數(shù)型號(hào)Ast -
上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國(guó)KRi霍爾離子源EH系列,提供高電流低能量寬束型離子束,KRi霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè),半導(dǎo)體應(yīng)用.霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū).整體易操作,易維護(hù),安裝于各類真空設(shè)備中,例如e-beam電子束鍍膜機(jī),loadlock,濺射系統(tǒng),分子束外延,脈沖激光沉積等,實(shí)現(xiàn)IBAD輔助鍍膜的工藝.KRi霍爾離子源特點(diǎn)高電流低能量寬束型離子束燈絲壽命更長(zhǎng)更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間更清潔的薄膜燈絲安裝在離子源 -
上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用。SiO2預(yù)清洗的原因:SiO2在刻蝕前需要將其表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層等去除，且不破壞晶體 -
紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分,已廣泛應(yīng)用于航空航天、國(guó)防、環(huán)保、分析儀器等各個(gè)領(lǐng)域.在紅外光學(xué)應(yīng)用中,由于鍺在2～14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過(guò)率,是一種不可替代的優(yōu)良紅外光學(xué)材料.鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過(guò)紅外波長(zhǎng)特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).鍺作為常用的紅外光學(xué)元件材料,具有折射率高、表面反射損失大以及表面易劃傷等特點(diǎn),因此必須鍍制高性能紅外增透膜,膜層強(qiáng)度差一直是一個(gè)難題,其原因是膜層材料結(jié)構(gòu)疏松、易吸潮.因此,加工過(guò)程除了選擇好的
-
KRi 離子源 e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國(guó)KRi考夫曼離子源e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國(guó)KRi考夫曼離子源KDC系列,通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子,是典型的考夫曼型離子源,離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束,通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜IBAD.e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝KRi離子源作用通過(guò)向生長(zhǎng)的薄膜中添加能量來(lái)增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué),以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性,從而導(dǎo)致薄膜的致密化.通過(guò)向生長(zhǎng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化,從而得到化學(xué) -
美國(guó) KRi 離子源常見(jiàn)工藝應(yīng)用
KRi離子源常見(jiàn)工藝應(yīng)用通過(guò)使用上海伯東美國(guó)KRi離子源可以對(duì)材料進(jìn)行加工,真空環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)沉積薄膜,干式蝕刻和材料表面改性等工藝.KRi離子源常見(jiàn)工藝應(yīng)用工藝應(yīng)用簡(jiǎn)稱In-situsubstratepreclean預(yù)清潔PCIon-beammodificationofmaterialａndsurfaceproperties材料和表面改性IBSM-Surfacepolishingorsmoothing表面拋光-Surfacenanostructuresａndtexturing表面納米結(jié)構(gòu)和紋理-
