產品介紹：

優異的高效分析性能

微型采樣方法已在半導體器件分析領域成為一款工具，它正迅速向更小制樣方向發展。僅用一小時左右即可獲得一個微小樣品，以便于STEM分析，其定位精度可達到0.1 µm以下。

產品特點：

聚焦離子束(FIB)微采樣裝置和聚焦離子束(FIB)微采樣方法

聚焦離子束(FIB)微柱狀制樣實例

一個微柱狀樣品，包含一個直接從半導體器件上準確地切割下來的分析點。改變入射聚焦離子束(FIB)的方向，把微樣品切割或加工成任意形狀。

系統配置實例：

聚焦離子束-掃描透射電子顯微鏡系統

新開發的半導體裝置評估系統由FB2200聚焦離子束(FIB)系統和HD-2700 200 kV(STEM)掃描透射電子顯微鏡構成。從對材料缺陷(組織)的搜索到亞納米薄膜高精度結構分析，只要幾小時即可完成。

聚焦離子束-透射電子顯微鏡(掃描透射電子顯微鏡)(FIB-TEM(STEM))的樣品桿可互換共用

觀察事例：

DRAM 觀察實例