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電子束蒸發鍍膜
E-beam Evaporation
在真空環境下用聚焦電子束加熱的方式將材料加熱到蒸發，真空腔室內的基片和襯底表面會形成薄膜或涂層，此過程被稱為真空熱蒸鍍，加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。
電子束蒸發原理圖
由于電子束轟擊的局域加熱特性，使得高熔點材料也可以得到有效加熱，電子束蒸發在熱蒸發的基礎上，可實現高熔點材料的鍍膜，例如導電金屬，Ti, Pt, Mo, W 等，也可以用于介質材料的鍍膜，SiO2, TiO2, Al2O3, 還有鍵能較高的氮化物TiN，AlN 等。電子束蒸發相比于熱蒸發具有更高的靈活性和材料覆蓋能力，用戶僅需選擇蒸發工位容量和數量即可。
電子束蒸發特點
系統的自動控制采用的是石英晶振自動控制的Rate Control鍍膜機制，在整個薄膜形成過程中，蒸發速率是恒定的，在累積到目標薄膜厚度時，系統會自動結束鍍膜，以實現厚度的精確控制。
Rate control 原理
根據客戶不同的真空度要求，我們可定制真空系統，其中包括高真空版本（5 × 10-7 Torr），近超高真空版本（5 × 10-9 Torr），以及超高真空版本（5 × 10-10 Torr），以滿足不同應用領域和薄膜質量的需求。對于基底材料的特殊要求，我們可提供不同功能的樣品臺，可實現加熱或者冷卻。
加熱型樣品臺
冷卻型樣品臺
多片樣品臺
樣品臺偏壓
針對金屬和介質的Lift-off工藝，我們可提供Lift-off專用型電子束蒸發。針對超導領域的約瑟夫森結，我們可提供樣品臺傾斜設計的超高真空版本電子束蒸發。針對光學鍍膜，也可以配置離子源輔助的電子束蒸發。
Lift-off工藝特點
雙傾角鍍膜樣品臺-約瑟夫森結
離子源輔助電子束蒸發-光學鍍膜
應用領域：
● 金屬/介質 Lift-Off 工藝
● 多層膜金屬電極
● 超導約瑟夫森結制備
● 光學鍍膜
應用展示：
配置選型：
配置特點：
● 腔體尺寸：根據鍍膜基片尺寸、數量和鍍膜距離確定
● 極限真空優于 3 × 10-7 Torr（可選超高真空版本 5 × 10-9 Torr）
● 基片臺：常規支持 8 寸并向下兼容；可定制特殊尺寸樣品夾具，支持單片鍍膜或多片同時鍍膜
● 電子槍功率 6 kW / 10 kW，坩堝數量：1/4/6，坩堝容量：7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩堝防污染設計
● 全自動鍍率控制石英晶振監控
● 基片可選加熱：Max. 300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可選水冷或液氮冷卻
● 可配備離子束輔助沉積，用于光學薄膜制備
● 可配備快速進樣室，可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能
● 可與手套箱集成
● 可根據用戶要求將其它鍍膜技術與電子束蒸發集成，例如磁控濺射、熱蒸發等
● 薄膜均勻度優于 ±3%
配置選型：
配置特點：
● 腔體尺寸：根據鍍膜基片尺寸、數量和鍍膜距離確定
● 極限真空優于 3 × 10-7 Torr（可選超高真空版本5 × 10-9 Torr）
● 基片臺：常規支持 8 寸并向下兼容；可定制特殊尺寸樣品夾具，支持單片鍍膜或多片同時鍍膜
● 電子槍功率 6 kW / 10 kW，坩堝數量：1/4/6，坩堝容量：7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩堝防污染設計
● 全自動鍍率控制石英晶振監控
● 基片可選加熱：Max.300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可選水冷或液氮冷卻
● 可配備離子束輔助沉積，用于光學薄膜制備
● 可配備快速進樣室，可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能
● 可與手套箱集成
● 可根據用戶要求將其它鍍膜技術與電子束蒸發集成，例如磁控濺射、熱蒸發等
● 薄膜均勻度優于 ±3%
